半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-221178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048130
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 p型層の光学的バンドギャップが狭くなく、ヘテロ接合界面での格子のミスフィットによる光感度の減少がなく、欠陥がない良質な膜を有するpin型の太陽電池や、フォトダイオード等の半導体装置及びその製造方法を実現することにある。【構成】 pin型構造を具備する非単結晶シリコン半導体装置において、該p型層、及び/又は該i型層、及び/又は該n型層がテーパー状の膜中水素濃度プロファイルと、テーパー状のバンドプロファイルを有し、該p型層、i型層、n型層の各層の界面でバンドの結合が連続であることを特徴とする半導体装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

pin型構造を具備する非単結晶シリコン半導体装置において、該p型層、及び/又は該i型層、及び/又は該n型層がテーパー状の膜中水素濃度プロファイルと、テーパー状のバンドプロファイルを有し、該p型層、i型層、n型層の各層の界面でバンドの結合が連続であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 B , H01L 31/10 A

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