特許

J-GLOBAL ID：200903059756648721

セラミック焼結体およびそれを用いた配線基板

発明者： 川井 信也
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396297
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053369
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】銀、銅、金等の低抵抗金属、なかでも銀と同時焼成が可能であり、高熱伝導率、低誘電率を有し、且つ高強度を有するセラミック焼結体を得る。【解決手段】絶縁基板1と、その表面および/または内部に配設された配線回路層2を具備してなる配線基板において、絶縁基板を少なくともガラス相と、ガーナイト(ZnAl2O4)および/またはスピネル(MgAl2O4)などのスピネル系化合物結晶相と、AlN、Si3N4、SiCおよびBNの群から選ばれる少なくとも1種の非酸化物系化合物結晶相(N)を含有し、相対密度が95%以上、誘電率が8以下、熱伝導率が2W/m・K以上のセラミック焼結体によって形成する。

請求項（抜粋）：

スピネル系化合物結晶相と、AlN、Si3N4、SiCおよびBNの群から選ばれる少なくとも1種の非酸化物系化合物結晶相を含有し、相対密度が95%以上、誘電率が8以下、熱伝導率が2W/m・K以上であることを特徴とするセラミック焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/195 ,  H01B 3/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01B 3/02 A ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 3/46 T ,  C04B 35/16 A

Fターム (47件)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA47 ,  4G030AA50 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030AA67 ,  4G030BA12 ,  4G030CA01 ,  4G030GA09 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346GG03 ,  5E346GG09 ,  5E346HH06 ,  5E346HH17 ,  5G303AA05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB12 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA09 ,  5G303BA12 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB19 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB38 ,  5G303CB43

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁器組成物および磁器並びにそれを用いた配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-068875   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭63-210043
  
• 特開平4-254477