特許
J-GLOBAL ID：200903059758336425
電界放出型微小冷陰極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216878
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063465
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 電界放出の均一性が良く、電界放出効率が高く、かつ消費電力の少ない電界放出型微小冷陰極およびその高精度で再現性の高い簡易な製造方法を提供すること。【解決手段】 窓部6が形成された基板1と、前記基板1の第1主面1A側に形成されたp+ あるいはp型のゲート層3と、前記ゲート層3の前記第1主面側に形成された第1絶縁層4Aと、前記第1絶縁層の第1主面側を被覆すると共に、尖鋭な先端部が前記第1絶縁層から前記ゲート層に対し非接触状態で前記基板の窓部内に露出するように形成されたエミッタ5Aと、前記基板の前記第1主面側とは反対側の第2主面側に形成された第2絶縁層4Bとを具備する。
請求項（抜粋）：
窓部が形成された基板と、前記基板の第1主面側に形成されたp+ あるいはp型のゲート層と、前記ゲート層の前記第1主面側に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層の第1主面側を被覆すると共に、尖鋭な先端部が前記第1絶縁層から前記ゲート層に対し非接触状態で前記基板の窓部内に露出するように形成されたエミッタと、前記基板の前記第1主面側とは反対側の第2主面側に形成された第2絶縁層と、を具備することを特徴とする電界放出型微小冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 C
, H01J 9/02 B
