特許

J-GLOBAL ID：200903059759518594

半導体集積回路の製造方法

発明者： 中森 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337581
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188312
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】従来の単にスタンダードセルを配置して結線する方式や、スタンダードセルをスティックス図で構成した方式よりも高い集積度を保ちつつ、製品の開発期間をフルマニュアルより短くすることを目的とする。【構成】スタンダードセル方式の半導体集積回路の製造方法であって、所定論理を構成するスタンダードセルを配置する工程と、スタンダードセル内において、スタンダードセルが持つ論理を構成するための複数のトランジスタ群を配置する工程と、隣接する該トランジスタ群の一部を共用するように新たなトランジスタ群を形成する工程と、新たなトランジスタ群に自動配置配線をする工程とを有して構成した。

請求項（抜粋）：

スタンダードセル方式の半導体集積回路の製造方法であって、所定論理を構成するスタンダードセルを配置する工程と、前記スタンダードセル内において、前記スタンダードセルが持つ論理を構成するための複数のプリミティブ群を配置する工程と、隣接するプリミティブ群の一部を共有して新たなプリミティブ群を形成する工程と、該新たなプリミティブ群に自動配置配線をする工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。