特許

J-GLOBAL ID：200903059760970158

LIGAプロセス用マスクの作製方法

発明者： 鈴木 健一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354412
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 レジスト材料から成る層の部分的はく離によるマスクパターン不良の問題を解決し、且つ半導体装置製造プロセスを利用して量産可能なLIGA用マスクの作製方法を提供する。【解決手段】 めっきシード層6とレジスト材料から成る層8との間に、めっきが付着し難い物質から成る層7を介在させて、当該レジスト材料から成る層のパターニング処理等を行う。

請求項（抜粋）：

基板上にめっきシード層を形成する工程、当該めっきシード層上に、めっきが付着し難い物質から成る層を形成する工程、当該めっきが付着し難い物質から成る層上に、レジスト材料から成る層を形成する工程、当該レジスト材料から成る層及び当該めっきが付着し難い物質から成る層をパターニング処理して、めっき用中空パターンを形成する工程、当該めっき用中空パターン内にめっきを施して、当該めっきシード層上にめっき層を形成する工程、当該レジスト材料から成る層、当該めっきが付着し難い物質から成る層、及び当該めっきシード層のめっきが施されていない部分を除去する工程を含む事を特徴とするLIGAプロセス用マスクの作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  H01L 21/288 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-184935