特許

J-GLOBAL ID：200903059761040987

半導体レーザ装置

発明者： 井戸 豊 ,  久光 守 ,  重定 頼和 ,  小林 裕 ,  樫原 稔
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056443
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273395
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ素子をステム等に接合する際の不良品発生を低減する。【構成】 半導体レーザ素子端面をステム等の支持体端面より突出させることでハンダ接合の際にレーザ端面に余分なハンダが回り込まないようにする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子をレーザ素子放熱用の支持体に接合させた半導体レーザ装置であって、半導体レーザ素子のレーザ光出射端面が支持体の端面よりも突出して載置されたことを特徴とする半導体レーザ装置。