特許

J-GLOBAL ID：200903059765252750

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者： 野澤 一彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999001410
公開番号（公開出願番号）：WO1999-050907
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月07日
要約：

【要約】基板素材の選択や接続後に工程を追加することなく接続信頼性を確保しながら、直接基板に接続でき、さらに電子機器を小型化、軽量化できる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器である。半導体装置は、電極(104)を有する半導体素子(100)と、電極(104)に接続される配線層(120)と、電極(104)を避ける位置で配線層(120)に設けられる導通層(122)と、導通層(122)の外周輪郭を超える大きさで導通層(122)の上に設けられ導通層(122)よりも変形しやすい下地金属層(124)と、下地金属層(124)の上に設けられるバンプ(200)と、導通層(122)の周囲に設けられる樹脂層(126)と、を含む。

請求項（抜粋）：

電極を有する半導体素子と、 前記電極に接続される配線層と、 前記電極を避ける位置で前記配線層に設けられる導通層と、 前記導通層の外周輪郭を超える大きさで前記導通層の上に設けられ、前記導通層よりも変形しやすい下地金属層と、 前記下地金属層の上に設けられるバンプと、 前記導通層の周囲に設けられる樹脂層と、 を含む半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/12