埋め込み構造半導体レーザとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081095
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275917
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】埋め込み構造半導体レーザにおいて、簡単な工程による製造方法で電流狭窄が充分に行えるようにするとともに、活性層にAlなどの金属を含む化合物を用いることができるようにすることを目的とする。【構成】活性層4を含む活性領域上のリッジ構造を有する電流ブロック層6上に電流閉じ込め層7の成長は完全に制御され、活性領域の上部は、電流ブロック層6,オーバークラッド層8およびギャップ層9のp型層のみが成長した層構造になる。また、リッジ構造となっている電流ブロック層6の活性領域上以外の所には電流閉じ込め層7が堆積するため、電流ブロック層6、電流閉じ込め層7は活性領域に対して、電流狭窄層および光閉じ込め層として働く。

請求項（抜粋）：

n型の(100)結晶面を有する半導体基板上に選択的に前記半導体基板の<011>方向にストライプ状に前記半導体基板が露出した選択成長領域を有する選択成長マスクを形成する工程と、前記選択成長領域にn型半導体からなるバッファ層を選択成長させる工程と、前記バッファ層上にレーザを発振する活性層を選択成長させる工程と、前記選択成長マスクを除去する工程と、前記半導体基板上に前記バッファ層,活性層を被覆し、前記活性層上の領域の平坦な面が(100)結晶面となるようにp型の半絶縁性半導体からなる電流ブロック層を形成する工程と、前記電流ブロック層の前記活性層上の領域の(100)結晶面以外に、所定の濃度のVI属元素をドープしたn型半導体からなる電流閉じ込め層を選択成長させる工程と、前記電流ブロック層と電流閉じ込め層との上にp型の半導体からなるオーバークラッド層を形成する工程と、前記オーバークラッド層上にp型の半導体からなるキャップ層を形成する工程とを有することを特徴とする埋め込み構造半導体レーザの製造方法。

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