特許

J-GLOBAL ID：200903059774575103

汚染評価基板の作製方法及びその装置並びに汚染評価方法

発明者： 久保田 稔 ,  宮本 健一 ,  田中 秀哉 ,  後藤 一幸
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235830
公開番号（公開出願番号）：特開平9-133613
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 汚染評価用の基板への汚染評価対象用の粒子の均一な付着、粒子の付着分布が同一な評価サンプルの作製及び高精度の汚染評価を可能にすること。【解決手段】 所定の温度雰囲気を形成する処理室1内に、汚染評価用のウエハWを回転保持するスピンチャック2を配設し、処理室1の上部に、乾燥された汚染対象用の粒子3を供給する粒子供給手段4を設ける。これにより、粒子供給手段4にて生成される乾燥した粒子3を回転するウエハW上に供給して、ウエハW表面に粒子3を均一に付着(塗布)させることができる。

請求項（抜粋）：

汚染評価試料用の基板の表面に評価対象用の粒子を付着して汚染評価基板を作製する汚染評価基板の作製方法において、上記基板を所定の温度雰囲気下で回転させつつ、この基板の表面に乾燥された上記粒子を供給することを特徴とする汚染評価基板の作製方法。

IPC (5件)：

G01N 1/00 102 ,  G01N 1/36 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

G01N 1/00 102 B ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/304 341 S ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 J ,  G01N 1/28 R

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-216027
  
• 特開昭63-038131
  
• 特開平2-216027
  
• 特開昭63-038131
  

審査官引用 (4件)

• 特開平2-216027
  
• 特開平2-216027
  
• 特開昭63-038131
  
• 特開昭63-038131