特許

J-GLOBAL ID：200903059775091428

ガス分析装置

発明者： 井上 香 ,  足立 正之
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (1件)： 藤本 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342139
公開番号（公開出願番号）：特開2001-159587
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 希釈率を実測定時において連続モニターすることにより、希釈前の成分濃度を正確かつリアルタイムで得ることができるガス分析装置を提供すること。【解決手段】 ガス発生源1に連なる流路2を流れるガスGの一部をサンプリングし、このサンプリングされたガスSを希釈装置において希釈した後、ガス分析部5において分析するようにしたガス分析装置において、前記ガス希釈時に、一定流量のトレースガスTを連続的に導入し、このトレースガスTおよび前記希釈されたガスを前記ガス分析部5において分析し、希釈されたガス中における成分ガス濃度とトレースガスの濃度とを求め、これらの成分ガス濃度、トレースガス濃度およびトレースガス濃度の流量値を用いて、希釈前のガスS(G)中の成分濃度を求めるようにした。

請求項（抜粋）：

ガス発生源に連なる流路を流れるガスの一部をサンプリングし、このサンプリングされたガスを希釈装置において希釈した後、ガス分析部において分析するようにしたガス分析装置において、前記ガス希釈時に、一定流量のトレースガスを連続的に導入し、このトレースガスおよび前記希釈されたガスを前記ガス分析部において分析し、希釈されたガス中における成分ガス濃度とトレースガスの濃度とを求め、これらの成分ガス濃度、トレースガス濃度およびトレースガス濃度の流量値を用いて、希釈前のガス中の成分濃度を求めるようにしたことを特徴とするガス分析装置。

IPC (2件)：

G01N 1/00 101 ,  G01N 1/22

FI (2件)：

G01N 1/00 101 R ,  G01N 1/22 M