特許

J-GLOBAL ID：200903059777680226

シリコン酸化膜の成膜方法およびCVD装置

発明者： 新井 寿裕 ,  佐藤 栄治 ,  長崎 恵一 ,  本間 喜夫 ,  斉藤 政良 ,  中西 成彦
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217037
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058101
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 均一な膜厚分布を有するシリコン酸化膜の成膜方法およびシャワー電極にフレークが生成・付着しにくい構造の上部電極を備えたCVD装置を提供する。【構成】 シャワー電極の下面表面温度を150°C以下に維持しながら成膜処理を行う。シャワー電極と当接するように該シャワー電極の上部に配設された電極板の上面に冷媒循環溝を設け、該溝内に冷媒を循環させることによりシャワー電極下面表面温度を150°C以下に維持する。

請求項（抜粋）：

反応室を有し、該反応室内に、ウエハを載置し加熱するためのサセプタと、該サセプタに対峙する上部電極を有し、該上部電極は微小な貫通孔が多数配設されたシャワー電極を有するCVD装置の前記反応室内に反応ガスを送入し、前記ウエハ表面にシリコン酸化膜を生成させることからなるシリコン酸化膜の成膜方法において、前記シャワー電極の下面表面温度を150°C以下に維持しながら成膜処理を行うことを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/36