特許
J-GLOBAL ID：200903059778582538
基板にコーティングするための方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013345
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311433
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：
【要約】【目的】 非常に大きな基板のコーティングの際にも、スパッタリング被着された膜における品質の向上及び欠陥の解消が良好に達成されるように当該方法及び装置をさらに改善すること。【構成】 直流電源に接続されている直流マグネトロンカソードを、適合する付加的回路を用いて周期的に短時間正電位に転極し、さらに当該周期的な転極の頻度を、デポジットすべき膜に依存して調節するように構成する。
請求項（抜粋）：
直流電源(21)を有し、該直流電源(21)は、排気可能なコーティングチャンバー(16ないし20)内に配置され1つのマグネットを有するカソード(17ないし19)と接続され、該カソード(17ないし19)は前記ターゲット(25)と電気的に共働し、かつスパッタリングされ、該カソードからスパッタリングされた粒子は基板(26)にデポジットされ、この場合スパッタリングチャンバー(16ないし20)から電気的に分離されたアノード(18)が配置されている装置を用いて、反応性雰囲気(例えば酸化性雰囲気)中で導電性ターゲット(25)から例えば非導電膜を基板(6)にコーティングするための方法において、当該直流電源(21)に接続されている直流マグネトロンカソード(17ないし19)を、適合する付加的回路(22ないし3〜15)を用いて周期的に短時間正電位に転極し、さらに当該周期的な転極の頻度を、デポジットすべき膜に依存して調節することを特徴とする、例えば非導電膜を基板にコーティングするための方法。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, C23C 14/44
, C23C 14/54
