特許

J-GLOBAL ID：200903059782123190

磁気記録媒体

発明者： 大森 広之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340277
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155329
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 Coと、Pt又はPdとを交互に積層した積層磁気記録層を有する磁気記録媒体において、積層磁気記録層における遷移ノイズが大幅に減少して、短波長記録に好適なものを得る。【解決手段】 Pt層(又はPd層)及びCo層からなる積層磁気記録層4と、その積層磁気記録層4に対する下地層3とを有する磁気記録媒体において、下地層3を、Pt、Au、Pd、Ag、Rh、Ir、Cuの面心立法構造の金属のいずれかと、SiO2 、Al2 O3 、MgO、TiO2 、Li2 O、CaO、ZnO、ZrO、Y2 O3 、HfO等の酸化物のいずれか(又はSi3 N4 、AlN、BN、Tin、ZrN、GaN等の窒化物のいずれか)(又はSiC、TiC、ZrC、TaC等の炭化物のいずれか)との複合材料からなる複合材料層にて構成した磁気記録媒体である。

請求項（抜粋）：

Pt層(又はPd層)及びCo層からなる積層磁気記録層と、該積層磁気記録層に対する下地層とを有する磁気記録媒体において、上記下地層は、Pt、Au、Pd、Ag、Rh、Ir、Cuの面心立法構造の金属のいずれかと、SiO2 、Al2 O3 、MgO、TiO2 、Li2 O、CaO、ZnO、ZrO、Y2 O3 、HfO等の酸化物のいずれか(又はSi3 N4 、AlN、BN、Tin、ZrN、GaN等の窒化物のいずれか)(又はSiC、TiC、ZrC、TaC等の炭化物のいずれか)との複合材料からなる複合材料層にて構成されてなることを特徴とする磁気記録媒体。

IPC (2件)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/673

FI (2件)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/673

Fターム (7件)：

5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06