特許

J-GLOBAL ID：200903059786715407

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183134
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 周辺MOSトランジスタを損傷させず,上部電極層であるコントロールゲートへの損傷がないEPROMを製造する方法を提供する。【構成】 メモリセルMOSトランジスタ領域20のコントロールゲート部21を形成したのち,コバルト膜25を被着させてこのコバルト膜25をマスクとして下部のフローティングゲート部27をエッチングする。その後,コバルト膜25をHIガスなどでエッチングして除去する。フローティングゲート部27形成時は周辺MOSトランジスタ領域10はコバルト膜25で保護しておく。コバルト膜25は選択比が大きく,コントロールゲート部21を損傷させず,フローティングゲート部27を形成できる。

請求項（抜粋）：

2層の電極層を有するメモリセルと,該2層の電極層のいずれか1層と共通する層のゲート電極層を有する周辺トランジスタとが同一半導体基板に形成される不揮発性半導体記憶装置の製造方法において,少なくとも,上記メモリセルの上部の電極層をコバルトまたはコバルトシリサイドをマスクとしてパターンニングすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371