特許

J-GLOBAL ID：200903059786987113

インライン型CVD装置および製膜方法

発明者： 高田 弘規 ,  鈴木 孝之
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081070
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280588
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 1台でアモルファスシリコン光電変換ユニットとポリシリコン光電変換ユニットの両方を効果的に製膜できる低コストのインライン型CVD装置、およびこの装置を用いた製膜方法を提供する。【解決手段】 基板上にpin型アモルファスシリコン光電変換ユニットとpin型ポリシリコン光電変換ユニットを形成するインライン型CVD装置であって、アモルファスシリコン光電変換ユニットおよびポリシリコン光電変換ユニットに対して共用されるp層製膜室(23)と、アモルファスシリコン光電変換ユニット用のi層製膜室(24)と、ポリシリコン光電変換ユニット用のi層製膜室(25)と、アモルファスシリコン光電変換ユニットおよびポリシリコン光電変換ユニットに対して共用されるn層製膜室(26)とを有する。

請求項（抜粋）：

基板上にpin型アモルファスシリコン光電変換ユニットとpin型ポリシリコン光電変換ユニットを形成するインライン型CVD装置であって、アモルファスシリコン光電変換ユニットおよびポリシリコン光電変換ユニットに対して共用されるp層製膜室と、アモルファスシリコン光電変換ユニット用のi層製膜室と、ポリシリコン光電変換ユニット用のi層製膜室と、アモルファスシリコン光電変換ユニットおよびポリシリコン光電変換ユニットに対して共用されるn層製膜室とを具備したことを特徴とするインライン型CVD装置。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C23C 16/24 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

Fターム (25件)：

4K030BA30 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030GA14 ,  4K030HA01 ,  4K030KA01 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DP11 ,  5F045EB08 ,  5F045EH13 ,  5F045EN04 ,  5F045HA24 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA16 ,  5F051CB12 ,  5F051DA15