特許
J-GLOBAL ID：200903059789635420
薄膜形成方法、薄膜を有する物品、光学フィルム、誘電体被覆電極およびプラズマ放電処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001010666
公開番号（公開出願番号）：WO2002-048428
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月20日
要約：
大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する2種の電極間に、100kHzを越えた高周波電圧で、且つ、1W/cm2以上の電力を供給して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法である。
請求項（抜粋）：
大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する2種の電極間に、100kHzを越えた高周波電圧で、且つ、1W/cm2以上の電力を供給して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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