特許

J-GLOBAL ID：200903059789920451

半導体装置

発明者： 細井 重広 ,  岡本 敏宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334564
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172247
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】電磁遮断性能を有し、機密性に優れた高信頼性の半導体装置を実現する。【解決手段】フェライトを含むアルミナからなる絶縁性基板が積層された多層基板1の表面(第1主面)上に、半導体素子21と、チップ抵抗体22、チップコンデンサ23およびインダクタ24等からなる複数の受動素子が合金材25により電気的及び機械的に固着され、多層基板1の表面(第1主面)の両端部とフェライトを含むアルミナからなる絶縁性キャップ32は、接着剤31で固着され、これら搭載部品21、22、23、24、合金材5やボンデイングワイヤ27は、多層基板1と絶縁性キャップ32で気密封止されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主面に配線層を有する絶縁性基板が積層されてなり、この積層構造の絶縁性基板の第1主面上に第1の配線層が設けられ、前記積層構造の絶縁性基板間に第2の配線層が設けられ、前記第1主面と相対向する第2主面上に第3の配線層が設けられ、第1乃至第3の配線層間がビアを介して電気的に接続され、且つ前記絶縁性基板にフェライトが含有されている多層基板と、 この多層基板の第1主面上に設けられ、前記第1の配線層と電気的に接続された半導体素子および受動素子と、 この半導体素子および受動素子を覆って、前記多層基板の第1主面に封着され、且つフェライトを含む絶縁性キャップと、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L23/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/06 ,  H01L23/08

FI (5件)：

H01L23/00 C ,  H01L23/02 H ,  H01L23/02 J ,  H01L23/06 C ,  H01L23/08 C