特許
J-GLOBAL ID:200903059801742297

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-195175
公開番号(公開出願番号):特開平5-041405
出願日: 1991年08月05日
公開日(公表日): 1993年02月19日
要約:
【要約】【目的】 配線基板1上に実装するための半導体素子9上への突起電極8の形成を不要とすることにより不良率を低減して歩留まりを高くすることを目的とするものである。【構成】 配線基板1の配線電極4上に、この配線電極4とのコンタクトホール6を有した保護膜5を設け、このコンタクトホール6を貫通して前記配線電極4上に突起電極8を立設し、この突起電極8を介して半導体素子9、あるいは半導体用配線体14を前記配線電極4に接続したものである。上記手段によれば、半導体素子9への突起電極8の形成工程が不要となる。
請求項(抜粋):
配線電極を有する配線基板と、この配線基板の配線電極上に設けた保護膜と、この保護膜に設けたコンタクトホールを貫通して前記配線電極上に立設した突起電極と、この突起電極上に接触させた駆動用半導体素子、あるいは半導体用配線体と、これらの半導体素子あるいは半導体用配線体を、前記配線基板に固着した樹脂とを備えた半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 311 ,  B41J 2/335

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