特許
J-GLOBAL ID：200903059810483873
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253687
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198800
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 MOSゲートのバイポーラトランジスタを得ること。【構成】 本高電圧トランジスタは第1の伝導形の基板(2)を含み、基板中に第2の伝導形のウエル領域(3)を含む。第1の伝導形のポケット(6)と、第2の伝導形のポケット(7)とを含むソース領域が基板中に形成される。ウエル領域(3)中に、第1の伝導形のポケット(14)と、第2の伝導形のポケット(15)とを含むドレイン領域が形成される。ウエル領域中に、ドレイン領域から分離され、ドレイン領域からソース領域の方向へ広がる第1の伝導形のトップ領域(11)が形成される。トップ領域とソース領域との間のチャネル領域を覆い、またソース領域とトップ領域の少なくとも一部分を覆う絶縁層が基板上に取り付けられる。絶縁領域上に基板から電気的に分離されてゲート電極(12)が取り付けられる。
請求項（抜粋）：
高電圧トランジスタであって:表面を有する第1の伝導形の基板、前記基板中の第2の伝導形のウエル領域、前記基板中にあって、前記基板表面に隣接するソース領域であって、第1の伝導形の半導体材料のポケットと、第2の伝導形の半導体材料のポケットとを含むソース領域、前記ウエル領域中にあって、前記基板表面に隣接するドレイン領域であって、第1の伝導形の半導体材料のポケットと、第2の伝導形の半導体材料のポケットとを含むドレイン領域、前記ソース領域へ電気的につながれたソースコンタクト、前記ドレイン領域へ電気的につながれたドレインコンタクト、前記ウエル領域中に前記ドレイン領域から分離されてあって、アースへ接続され、前記ドレイン領域から前記ソース領域の方向へ広がる、第1の伝導形のトップ領域、前記基板上に取り付けられた絶縁層であって、前記トップ領域と前記ソース領域との間のチャネル領域を覆い、また前記ソース領域と前記トップ領域の少なくとも一部分を覆う絶縁層、及び前記絶縁領域上に前記基板から電気的に分離されて取り付けられたゲート電極であって、チャネル中の電流を電界効果によって制御するゲート電極、を含むことを特徴とするトランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 301 X
