特許
J-GLOBAL ID:200903059811450723

複素環式有機硫黄化合物からのエネルギー貯蔵デバイス材料およびその設計方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須藤 阿佐子
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2002003053
公開番号(公開出願番号):WO2002-082569
出願日: 2002年03月28日
公開日(公表日): 2002年10月17日
要約:
実用化に向けた高性能な複素環式有機硫黄化合物を探る上での指針を提供すること。複素環式有機硫黄化合物から高容量密度化、高パワー密度化された新規エネルギー貯蔵デバイス材料の提供。複素環式有機硫黄化合物からエネルギー貯蔵デバイス材料を設計するに際し、理論容量密度の増加にジスルフィド部位の増加およびポリスルフィド化を組み合わせることを特徴とする新規化合物の設計方法。電極反応速度の増加に有機部位の電子吸引性を増加させ、ジスルフィド結合上の電子密度を減少させることを組み合わせる。高容量密度化、高パワー密度化に超分子化の概念を取り入れることを特徴とする。上記の方法で設計された複素環式有機硫黄化合物からのエネルギー貯蔵デバイス材料。
請求項(抜粋):
複素環式有機硫黄化合物からエネルギー貯蔵デバイス材料を設計するに際し、理論容量密度の増加にジスルフィド部位の増加およびポリスルフィド化を組み合わせることを特徴とする新規化合物の設計方法。
IPC (2件):
H01M4/60 ,  H01M4/02
FI (2件):
H01M4/60 ,  H01M4/02 C

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