容量絶縁膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-290983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140572
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】ロードロック機構付きのCVD装置を用いることによる容量絶縁膜の薄膜化を実現し得る容量絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】窒化シリコン膜を形成する際に、膜形成工程を初期核形成処理とその後の膜成長処理との二段階に分け、それらの処理を連続して行なう。初めの初期核形成処理は高圧力P1下で先ずNH3ガスのみを供給した後、途中からそれにSiH2Cl2ガスを加えて供給する。後の膜成長処理はP1よりも低い所定の圧力P2下でNH3ガスのみを供給した後、途中からSiH2Cl2ガスを加えて両反応ガスを供給する。【効果】小さな面積で容量値の大きな素子が得られ、DRAMの高集積化が可能になるだけでなく、下部電極の厚さも薄くすることができるので、下部電極の形成過程における異物発生の減少や下部電極の加工や後工程における平坦化などが容易になるなど、製造上の効果も大きい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極と窒化シリコン膜からなる絶縁膜と上部電極が積層されてなる容量素子の容量絶縁膜を形成するにあたり、所定の圧力下で少なくとも第1の反応ガスと第2の反応ガスとを混合させてなるガスより形成する膜成長処理の前に、前記所定の圧力よりも高圧力下で第2の反応ガスの供給を停止した状態で第1の反応ガスを供給した後、同高圧力下で第1の反応ガスとともに第2の反応ガスを供給する初期核形成処理を行うことを特徴とする容量絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/205 , H01L 21/318 , H01L 27/108

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平3-125473
特開平1-304735
特開平2-093071

審査官引用 (3件)

特開平3-125473
特開平1-304735
特開平2-093071

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