半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349951
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】多層配線構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜表面の平坦性を向上させて信頼性を高める。【構成】金属配線層2上にSOG法によりその段差を十分に吸収する厚いPPSQ(ポリフェニルシルセスキオキサン)を塗布してPPSQ膜10aを形成し、その後所定の膜厚まで芳香族系有機溶剤11で全面エッチバックした後、熱処理によって重合させて層間絶縁膜10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を介して金属配線層が形成される多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、N(Nは整数)層目金属配線層を形成後、以下に示す化学式、【化1】(式中R1はフェニル基または低級アルキル基であり、R1は同種でもよく、異種でもよい。R2は水素原子または低級アルキル基であり、R2は同種でもよく異種でもよい。nは整数)で表されるシリコンラダ-系樹脂PPSQ(ポリフェニルシルセスキオキサン)において平均分子量が20000以上となるようにnを定めたものを、上記N層目金属配線層を覆って上記半導体基板上の全面に、SOG(Spin onglass)法により下地の上記N層目金属配線層の段差の2倍以上でしかも2.0μm以上の膜厚に塗布してSOG膜を形成する工程と、その後、このSOG膜を全面エッチバックして所定の膜厚まで薄くしてN層目層間絶縁膜を形成する工程と、このN層目層間絶縁膜上にN+1層目金属配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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