特許

J-GLOBAL ID：200903059821254345

ホトルミネセンス半導体材料

発明者： アームストロング デイヴィッド ダブリュー ,  ラフランス マーティン エル
出願人/特許権者： アイアトロクエスト コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559416
公開番号（公開出願番号）：特表2002-531807
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2002年09月24日
要約：

【要約】多孔質組織を有する半導体材料を認識要素で修飾してなる、電磁放射線の照射により発光応答を生じる光ルミネセンス材料。生体分子、有機及び無機成分からなる群から選択することができる認識要素は、標的分析物と相互作用して、認識要素のみで修飾された半導体材料と比較して、変調された発光応答を与える。

請求項（抜粋）：

(a)多孔質組織を有する少なくとも1種の半導体材料、及び (b)少なくとも1種の認識要素を含む修飾半導体組成物であって、 該組成物を、約100nm〜約1000nmの範囲の電磁放射線の少なくとも1種の波長で照射すると、該組成物が、約200nm〜約800nmの範囲の少なくとも1種の第1発光応答を生じることを特徴とする半導体組成物。

IPC (4件)：

G01N 21/64 ,  C12Q 1/68 ,  G01N 33/566 ,  G01N 33/551

FI (5件)：

G01N 21/64 F ,  G01N 21/64 E ,  C12Q 1/68 Z ,  G01N 33/566 ,  G01N 33/551

Fターム (19件)：

2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043CA07 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043FA02 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043LA01 ,  4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QR82 ,  4B063QR90 ,  4B063QS02 ,  4B063QS36 ,  4B063QS39 ,  4B063QX02