特許

J-GLOBAL ID：200903059823045832

バイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法、積層欠陥縮小方法およびバイポーラ型半導体装置

発明者： 三柳 俊之 ,  土田 秀一 ,  鎌田 功穂 ,  菅原 良孝 ,  中山 浩二 ,  石井 竜介
出願人/特許権者： 関西電力株式会社 ,  財団法人電力中央研究所
代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-117176
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295061
出願日： 2005年04月14日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。【解決手段】電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を350°C以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で電流通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法であって、 電流通電により順方向電圧が増加した前記バイポーラ型半導体装置を350°C以上の温度で加熱することを特徴とするバイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法。

IPC (7件)：

H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/744

FI (6件)：

H01L21/324 X ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/91 F ,  H01L29/72 ,  H01L29/74 C ,  H01L29/78 301J

Fターム (13件)：

5F003AZ01 ,  5F003BJ11 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005CA01 ,  5F140AC24 ,  5F140AC40 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開WO03/038876号パンフレット