特許

J-GLOBAL ID：200903059825188290

金配線を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 田中 啓貴 ,  矢倉 基次
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231430
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057369
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 微細形状の配線への適用が容易で、かつ金膜の断線を防止できる金配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 金膜4の上にパターニングされたシリコン酸化膜5を設け、そのシリコン酸化膜5をマスクとしてドライエッチングにより金膜4のパターニングを行なうことで、シリコン酸化膜5と同一パターンの金膜4が形成される。

請求項（抜粋）：

パターニングされた金膜と、前記金膜の上部に前記金膜と同一パターンに形成された第1のシリコン酸化膜とを備えた、金配線を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 M

Fターム (28件)：

5F033GG01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033WW02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-030428
  
• 特開平3-237745
  
• 特開昭63-272050