特許
J-GLOBAL ID：200903059827701840
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041559
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザの無効電流を抑制することにより、低しきい値で高温特性に優れた半導体レーザを実現する。【構成】 InGaAsP/InP系半導体レーザにおいて、基板側クラッド層16と活性層14以外の部分が接するpn接合界面の全部あるいは一部分に、Inの組成xが0.53よりも大きいInx Ga1 - x AsとInPを交互に積層させた歪超格子構造15を有する電流ブロック層構造を有する。
請求項（抜粋）：
電流ブロック構造を有する半導体レーザであって、基板側クラッド層と活性層以外の部分が接するpn接合界面の全部あるいは一部に圧縮歪の歪超格子構造を有する電流ブロック構造を備えることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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