特許

J-GLOBAL ID：200903059829980045

インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

発明者： 福島 英子 ,  菊池 広実 ,  榊原 正彦
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188856
公開番号（公開出願番号）：特開平8-035062
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 熱処理工程を特に要せずにSnO2相、および(In0.6Sn0.4)2O3相等の中間化合物相の存在を低減したITOターゲットおよびその製造方法の提供する。【構成】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、スズ量が2wt%未満で単相構造を有し、比抵抗値が6×10-3Ω・cm以下であるインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、スズ量が2wt%未満で単相構造を有し、比抵抗値が6×10-3Ω・cm以下であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495