特許
J-GLOBAL ID：200903059850087628
化合物半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-321007
公開番号（公開出願番号）：特開平8-175895
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【目的】 滑らかな円筒状をなし、かつ単結晶化率の高い化合物半導体単結晶を製造する。【構成】 密封容器1の内周には、円環状をなす鍔部20aと、その内周端に下方に向け漸次縮径しつつ連結されたテーパ部20bと、テーパ部20bの下端に連結された、外径がルツボ7の内径より小径とされ、かつ融液Yに濡れにくい物質からなる円筒部20cとを具備する環状隔壁20がルツボ7と同軸をなすよう設置され、しかも、円筒部20cは、その下端部を除き、円筒部20cと同軸をなす環状の筒状体21により周囲から覆われている。単結晶Tの引き上げに際しては、円筒部20cのうち筒状体21に覆われない下端部の一部を融液中Yに浸漬してまず肩部を形成し、次いで、単結晶Tの外径と環状隔壁20の下端部内面との間隔を3.5mm以上10mm以下としつつ直胴部を成長させる。
請求項（抜粋）：
開閉可能な円筒状密封容器と、この密封容器の内部に同軸に配置されたルツボと、このルツボを軸線回りに回転させるルツボ回転手段と、前記ルツボ内に収容された原料融液に種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構と、前記密封容器と連通された蒸気圧制御部と、前記密封容器と前記蒸気圧制御部とを加熱する複数のヒーターとを具備し、前記密封容器内に封入された高解離圧成分の一部を前記蒸気圧制御部内に凝縮させることにより前記密封容器内部の高解離圧成分ガスの圧力を制御しつつ化合物半導体単結晶の引き上げを行う装置において、前記密封容器の内周に、円環状をなす鍔部と、この鍔部の内周端に下方に向け漸次縮径するよう連結されたテーパ部と、このテーパ部の下端に連結され、かつ外径が前記ルツボの内径より小径とされ、しかも前記原料融液に濡れにくい物質からなる円筒部とを具備する環状隔壁が前記ルツボと同軸上に設置されるとともに、前記円筒部は、その下端部を除き、前記円筒部と同軸をなす環状の筒状体により周囲から覆われていることを特徴とする化合物半導体単結晶引き上げ装置。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 27/02
, C30B 29/42
, H01L 21/208
