特許

J-GLOBAL ID：200903059851550917

偏光有機フォトニクスデバイスの製造方法

発明者： チェナン バオ ,  シャオチェン リンダ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270155
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143873
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 簡単かつ高速で、偏光有機フォトニクスデバイスなどのためのさまざまな有機およびポリマー材料に適用可能であり、高い光学品質の膜が得られ、数十ナノメートルの厚さを容易に達成する処理方法とを実現する。【解決手段】 まず、第1導電層の上にアラインメント層を形成する。第1導電層は、フォトニクスデバイスにおける第1電極として作用する。アラインメント層は、一般に絶縁性の電子輸送または正孔輸送材料の薄層であり、摩擦転移法によって堆積される。この層は、偏光発光および吸光に必要な、後で堆積される有機層およびポリマー層の整列を行う。次に、導電性ポリマーを、アラインメント層の上に堆積する。次に、光活性材料を堆積する。最後に、第2の導電層を加え、偏光有機フォトニクスデバイスを得る。第2導電層は、フォトニクスデバイスにおける第2電極として作用する。

請求項（抜粋）：

(a)外表面を有し、第1導電性材料を含む第1層を形成するステップと、(b)外表面を有し、第1層の外表面上に摩擦転移によって付着された、配向したアラインメント材料を含む第2層を形成するステップと、(c)光活性材料を第2層の外表面と接触させることによって、外表面を有し、配向した光活性材料層を含む第3層を形成するステップと、(d)光活性材料の外表面上に第2導電性材料を堆積することによって、第2導電性材料を含む第4層を形成するステップとによって積層系列を形成することを含む、偏光有機フォトニクスデバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H05B 33/22 ,  C09K 11/06 680 ,  G02B 5/30 ,  G02F 1/13357 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (6件)：

H05B 33/22 Z ,  C09K 11/06 680 ,  G02B 5/30 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 B ,  G02F 1/1335 530