特許

J-GLOBAL ID：200903059854460978

半導体装置

発明者： 北村 富士夫 ,  桑村 誠
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220233
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216281
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 ばりおよびボイドの発生が抑制され、かつ封止作業に優れたエポキシ樹脂組成物により封止してなる半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物により封止されてなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の175°Cでの溶融粘度が80〜300Pa・sの範囲に設定され、かつ上記(C)成分の含有割合が上記エポキシ樹脂組成物全体の75〜85重量%の範囲に設定されている。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型硬化剤。(C)全体の粒度分布が下記の(a)〜(c)に設定され、かつ平均粒子径が10μmを超え25μm以下の範囲であるシリカ粉末。(a)粒子径149μm以上のものが3重量%以下。(b)粒子径48μm以下のものが70重量%以上。(c)粒子径6μm以下のものが20〜40重量%。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物により封止されてなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の175°Cでの溶融粘度が80〜300Pa・sの範囲に設定され、かつ上記(C)成分の含有割合が上記エポキシ樹脂組成物全体の75〜85重量%の範囲に設定されていることを特徴とする半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型硬化剤。(C)全体の粒度分布が下記の(a)〜(c)に設定され、かつ平均粒子径が10μmを超え25μm以下の範囲であるシリカ粉末。(a)粒子径149μm以上のものが3重量%以下。(b)粒子径48μm以下のものが70重量%以上。(c)粒子径6μm以下のものが20〜40重量%。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/36 NKX ,  C08L 63/00 NJS

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-074924
  
• 特開昭61-115342
  
• 特開昭61-101520
  
• 特開平2-173153