特許

J-GLOBAL ID：200903059858128528

レーザダイオード

発明者： 林 茂生 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104531
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 格子不整合のあるZnSe層とZnS0.07Se0.93層の間に歪超格子層を入れることにより、構造欠陥の伝搬が抑制され、結晶性が向上し発光効率が高まり、パルス電流注入条件において室温で青緑色でレーザ発振する青色域レーザダイオードを得る。【構成】 n型GaAs単結晶基板1上に、塩素添加n型ZnS0.07Se0.93層2、塩素添加n型ZnSe-ZnS0.07Se0.93歪超格子層3、塩素添加ZnSe層4、Zn0.8 Cd0.2 Se活性層5、窒素添加p型ZnSe層6、窒素添加p型ZnSe-ZnS0.07Se0.93Se歪超格子層7、窒素添加p型ZnS0.07Se0.93層8を有し、その構造の両側にAu電極9とIn電極10を有し、へき開面ミラーによる光共振器を持つレーザダイオードとする。

請求項（抜粋）：

Zn1-X CdX Se(X:0.1〜0.3)活性層の両側にZnSe光導波路層を有し、前記ZnSe層のさらに外側にZnSY Se1-Y (Y:0.06〜0.09)閉じ込め層を有する、GaAs基板上に形成された分離閉じ込め型ダブルヘテロ構造において、前記ZnSe層と前記ZnSY Se1-Y 層との間に同じ伝導型のZnSe-ZnSZ Se1-Z (Z:0.06〜0.20)歪超格子を有することを特徴とするレーザダイオード。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/88