特許
J-GLOBAL ID：200903059863538718
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295136
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139092
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 EEPROMにおけるデータ保証時間を長くすることができ、信頼性の向上をはかる。【解決手段】 4値のデータ記憶可能な電荷蓄積部を有するメモリセルを備え、電荷蓄積部に蓄えられる電荷量によって4値データを、しきい値の低い順に定められた離散的な“0”,“1”,“2”,“3”のしきい値電圧領域に対応させて記憶させ、第jのしきい値電圧領域と第j-1のしきい値電圧領域の間の値を第j-1としたVr1,Vr2,Vr3(Vr1<Vr2<Vr3)の読み出し参照電圧との大小関係からデータを読み出すEEPROMにおいて、第jのしきい値電圧領域の最小電圧と第j-1の読み出し参照電圧との差ΔVjを、ΔV3 >ΔV2 >ΔV1 に設定する。
請求項（抜粋）：
多値(n(≧3)値)データ記憶可能な電荷蓄積部を有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、n値データを電荷蓄積部に蓄えられる離散的な第1,2,...,nの電荷量領域に対応させて記憶させ、第1,2,...,nの電荷量領域のうち電荷蓄積部の正の電荷量が多い順に第n,n-1,...,i+1,iの電荷量領域とし、第jの電荷量領域と第j-1の電荷量領域との電荷量差Mjを、Mn >Mn-1 >...>Mi+2>Mi+1 に設定してなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/04
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 308
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
