特許

J-GLOBAL ID：200903059868976985

化学量論組成の窒化シリコン薄膜によって被覆され、かつ電子部品の製造に用いられる基板、特に炭化珪素基板、及び前記膜を形成する方法

発明者： スキャーシャン, パトリック
出願人/特許権者： コミッサリア タ レネルジー アトミーク ,  ユニベルシテ パリ スードゥ (パリ 11)
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-519929
公開番号（公開出願番号）：特表2009-500837
出願日： 2006年07月04日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

本発明は、電子部品の製造に用いられ、かつ化学量論組成の窒化シリコン薄膜で被覆される基板、特に炭化珪素基板、及び前記膜を形成する方法に関する。 基板(1)の上に、少なくとも一つの窒素含有ガスが存在する状態で膜を形成する方法は、前記ガスを透過させる材料膜(2)で基板を被覆し、更に窒化シリコン膜を、基板と材料膜との間の界面に形成するステップを含む。本発明は、特にマイクロエレクトロニクスに適用することができる。

請求項（抜粋）：

電子部品の製造に用いられる基板(1)、特に炭化珪素基板であって、前記基板は、化学量論組成の窒化シリコン薄膜(10)で被覆されることを特徴とする基板。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/318 A ,  H01L29/78 301B

Fターム (17件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC08 ,  5F058BF53 ,  5F058BF55 ,  5F058BF64 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA28 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE01 ,  5F140BE08 ,  5F140BE16