特許

J-GLOBAL ID：200903059871902780

単結晶引上げ用Si融液の酸素濃度制御方法

発明者： 黄 新明 ,  寺嶋 一高 ,  白石 裕 ,  泉妻 宏治 ,  木村 茂行
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  寺嶋 一高 ,  白石 裕 ,  泉妻 宏治
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-232990
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 融液表面の酸素濃度を雰囲気圧によって調整し、一定品質のSi単結晶を引き上げる。【構成】 V族元素でドープしたSi融液に接する雰囲気の圧力をP,Si融液表面の酸素濃度をC2 とするとき、下式に基づいて圧力Pにより酸素濃度C2 を調整する。ただし、雰囲気ガスの種類に応じて定まる定数Kは、Neでは1.00〜1.24,Arでは0.85〜1.05,Krでは0.64〜0.80,Xeでは0.42〜0.53,Rnでは0.30〜0.38の範囲にある。【効果】 融液表面の酸素濃度が雰囲気圧との間に図2の関係があることを利用し、所定の酸素濃度を持ったSi単結晶を引上げる。

請求項（抜粋）：

V族元素でドープしたSi融液をルツボに収容し、前記Si融液に接する雰囲気の圧力をP,前記Si融液表面の酸素濃度をC2 ( 原子数/cm3)とするとき、次式(1)に基づいて圧力Pによって酸素濃度C2 を調整するSi融液の酸素濃度制御方法。【数1】ただし、Kは雰囲気ガスの種類及びドーピング量で定まる定数であり、ドーピング量が1.0×10-4原子%以上のとき、Neでは1.00〜1.24,Arでは0.85〜1.05,Krでは0.64〜0.80,Xeでは0.42〜0.59,Rnでは0.30〜0.38の範囲にある。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502