特許
J-GLOBAL ID：200903059873251662
配向性強誘電体薄膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319228
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151601
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体単結晶(100)基板上にc軸配向のエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成することを目的とし、本発明により高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変調素子などの素子を半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜は、半導体単結晶(100)基板1上に、二層構造からなるエピタキシャルまたは配向性のバッファ層2,3が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜4が形成されている。前記エピタキシャルまたは配向性のバッファ層は、MgO薄膜上にペロブスカイトABO3 型薄膜が形成された構造からなる。そして単結晶基板とバッファ層およびペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜の結晶学的関係は、ABO3 (001)//ABO3 (100)//MgO(100)//半導体単結晶(100)である
請求項（抜粋）：
半導体単結晶(100)基板上に、二層構造からなるエピタキシャルまたは配向性のバッファ層が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜。
IPC (3件)：
H01L 21/84
, H01B 3/00
, H01L 21/20
