特許
J-GLOBAL ID:200903059873658797

半導体素子収納用パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-019157
公開番号(公開出願番号):特開2002-222887
出願日: 2001年01月26日
公開日(公表日): 2002年08月09日
要約:
【要約】【課題】 従来の一方向性の炭素繊維からなる基体では、半導体素子が発する大量の熱を十分に下面側に伝達しきれず、半導体素子が熱で誤動作や熱破壊を起こしたり、また基体を外部装置にネジ止めする際に基体のネジ止め部の周囲が潰れるといった問題があった。【解決手段】 上面に半導体素子2の載置部1aを有する基体1と、載置部1aを囲繞して取着され貫通孔または切欠部から成る入出力端子4の取付部3aを有する枠体3と、取付部3aに嵌着された入出力端子4とを具備し、基体1は、炭素質母材1b内に分散された炭素繊維及び熱伝導率が350W/m・K以上の金属から成る金属炭素複合体を基材Aとし、基材Aの上下面に基材A側から鉄またはステンレススチールから成る接着層6および銅層7を積層した金属層Bが形成され、基材Aの金属層Bおよびその残部に銅メッキ層8が被着されている。
請求項(抜粋):
上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記載置部を囲繞するようにして取着されるとともに貫通孔または切欠部から成る入出力端子の取付部を有する枠体と、前記取付部に嵌着された前記入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体は、炭素質母材内に分散された炭素繊維および熱伝導率が350W/m・K以上の金属から成る金属炭素複合体を基材とし、該基材の上下面に前記基材側から鉄またはステンレススチールから成る接着層および銅層を積層した金属層が形成され、さらに前記基材の前記金属層およびその残部に銅メッキ層が被着されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (4件):
H01L 23/06 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/36
FI (4件):
H01L 23/06 B ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 C
Fターム (2件):
5F036BB08 ,  5F036BB14
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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