特許
J-GLOBAL ID：200903059877589951
半導体用セラミック基板へのマーク表示方法と半導体用セラミック基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉村 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091294
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264670
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 セラミック製パッケージ基体またはセラミック製リッドの表面に、製造者名、ユーザー名その他の情報を耐久性を有し、かつ判読容易にマーク表示し、セラミック製パッケージ基体、セラミック製リッドあるいは組立後の半導体装置の履歴管理を容易にしたマーク表示方法と半導体用セラミック基板を提供する。【構成】 半導体用セラミック基板の表面に文字、記号その他のマークを表示する半導体用セラミック基板へのマーク表示方法において、セラミック基板がセラミック多層体であって、セラミック基板の最外層と次層の一方が白色セラミック層で、他方が黒色セラミック層からなり、最外層に文字、記号その他のマークを描くレーザ光線を照射し、最外層のレーザ光線照射部分をガラス化させて、次層のセラミック面を透視可能状態にさせ、マークを表示する構成よりなる。
請求項（抜粋）：
半導体用セラミック基板の表面に文字、記号その他のマークを表示する半導体用セラミック基板へのマーク表示方法において、該セラミック基板がセラミック多層体であって、該セラミック基板の最外層と次層の一方が白色セラミック層で、他方が黒色セラミック層からなり、該最外層に文字、記号その他のマークを描くレーザ光線を照射し、該最外層のレーザ光線照射部分をガラス化させて、前記次層のセラミック面を透視可能状態にさせ、該マークを表示することを特徴とする半導体用セラミック基板へのマーク表示方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/00 A
, H01L 21/02 A
