非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047294
公開番号（公開出願番号）：特開2006-279025
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】高圧力下において高速成長を可能にした非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】上面がr面である基板を設ける工程と、前記基板上に低温窒化物核成長層を形成する工程と、前記窒化物核成長層上に非極性a面窒化ガリウムを成長させる工程と、を含み、前記非極性a面窒化ガリウムを成長させる工程は約190〜390μmol/minのガリウムソース供給量と、約770〜2310のV/III比を有するように窒素ソース供給量とが設定された条件において行われることを特徴とする非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

上面がr面である基板を設ける工程と、前記基板上に低温窒化物核成長層を形成する工程と、前記窒化物核成長層上に非極性a面窒化ガリウムを成長させる工程と、を含み、前記非極性a面窒化ガリウムを成長させる工程は約190〜390μmol/minのガリウムソース供給量と、約770〜2310のV/III比を有するように窒素ソース供給量とが設定された条件において行われることを特徴とする非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 25/14 , C23C 16/34

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38 D , C30B25/14 , C23C16/34

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077DB12 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EF03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF05 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA61 , 5F152LL05 , 5F152MM10 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN10 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NQ09 , 5F152NQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開第2003/0198837号明細書

審査官引用 (3件)

非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-586401 出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア
金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-586402 出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア
3族窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-044551 出願人：豊田合成株式会社

前のページに戻る