特許
J-GLOBAL ID:200903059886314116

イオノグラフィー電荷レシーバー及び感光体基体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平2-419315
公開番号(公開出願番号):特開平6-043664
出願日: 1990年12月21日
公開日(公表日): 1994年02月18日
要約:
【要約】【構成】 本発明は、導電性材料で形成された射出成型導電層及び該導電層の外側に配された1以上の機能層を有する感光体又はイオノグラフィー電荷レシーバーを提供するものである。前記感光体又はイオノグラフィー電荷レシーバーは、成型ハウジング及びマンドレルを含む成形チャンバー中に熱可塑性ポリマーを射出成形する工程を有する形成方法により製造される。【効果】 本発明のイオノグラフィー電荷レシーバー又は感光体は製造が容易で、軽量かつ廉価である。
請求項(抜粋):
導電性材料で形成された射出成型導電層;及び前記導電層の外側に配された1以上の機能層、を有する感光体。
IPC (2件):
G03G 5/02 101 ,  G03G 5/00 101

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