特許

J-GLOBAL ID：200903059893126783

ダイヤモンド状炭素膜の形成方法

発明者： 那須 昌吾 ,  吉次 慶記 ,  末永 辰敏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203927
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020870
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】 原料ガスとしてメタンガスやエチレンガスを使用することに起因して、DLC膜中に水素が残る問題を解消し、ECRプラズマCVDによるDLC膜の超薄膜化と耐摩耗性の両立を実現する。【解決手段】 原料ガスに、酸化炭素ガス、または酸化窒素ガスを添加して成膜する。または、成膜時に基板面に遠赤外線から紫外線域までのいずれかの波長の光を照射しながら成膜する。あるいは、DLC成膜前に酸素ガス、酸化炭素ガス、酸化窒素ガスの少なくとも一種類のガスを基板に吸着させた後、成膜する。これらの方法のいずれかを用いることにより、DLC膜中に残る水素量を低減する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVDによりダイヤモンド状炭素膜を成膜する方法において、成膜原料ガス中に、少なくとも一酸化炭素ガスあるいは二酸化炭素ガスを混合して成膜することを特徴とするダイヤモンド状炭素膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  G11B 5/60 ,  G11B 21/21 101

FI (4件)：

C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  G11B 5/60 C ,  G11B 21/21 101 L

Fターム (11件)：

4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030LA19 ,  5D042NA02 ,  5D042PA08 ,  5D042RA02 ,  5D042SA03