特許
J-GLOBAL ID：200903059897157829
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163563
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】バイポーラトランジスタの高速化を妨げる要因の一つであるカーク効果を耐圧を損なうことなく抑制して、バイポーラトランジスタの高速化を実現させる。【構成】コレクタ領域となるN型エピタキシャル層3内にP型層21及びN型層22を設け、N型層22の上面に接してP型のベース領域12とベース領域12内にエミッタ領域14を設けることにより、コレクタ領域端に急峻な電界の立ち下りによる大きな電子温度勾配を得ることができ、カーク効果を低減できる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板に設けて島状に素子分離した逆導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域内に設けた一導電型半導体層と、前記一導電型半導体層の上面に接して設けた逆導電型半導体層と、前記逆導電型半導体層の上面に接して設けた一導電型のベース領域と、前記ベース領域内に設けた逆導電型のエミッタ領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
