過酷な化学的、熱的環境に晒される半導体をベースにした圧力センサー用メタルコンタクトシステム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片寄恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-223084
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067398
出願日： 2006年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】自動車の排気ガス環境のように、酸や上昇された温度環境に露出される半導体圧力センサー装置に適した強度な耐腐食性の電気的導電性コンタクトシステムを提供する。【解決手段】好ましい実施例(10)は、プラチナ最上層(26)、タンタル下部層(24)を有する。双方ともに、高い電気的導電性の層であり、酸性の環境に対し耐腐食性を示す。金属化の最上層はまた、外部接続(例えば、ワイヤボンディング、はんだバンプ、チップーチップ融合)のために好ましい金属を提供する。金属化の下部層はまた、上層金属と下部層、典型的にシリコンベースのグラスとの間の接着層としても機能し、ある場合には、拡散バリアとして機能する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

過酷な化学的および熱的環境において使用するピエゾ抵抗型センサーの金属電気接続システムであって、半導体基板、半導体基板の一部に電気的に導電性の不純物がドープされた不純物ドープ領域、不純物ドープ領域を含む半導体基板の表面上に形成されたパッシベーション層、パッシベーション層に形成され、不純物ドープ領域の一部を露出する開口、不純物ドープ領域の一部に形成され、開口に整合されるオーミックコンタクト、およびオーミックコンタクト上の開口に形成されたタンタルおよびタンタル合金の少なくともいずれかを含む層を有する、金属電気接続システム。

IPC (2件)：

H01L 29/84 , G01L 9/00

FI (2件)：

H01L29/84 B , G01L9/00 303M

Fターム (18件)：

2F055AA31 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF38 , 2F055GG11 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA07 , 4M112DA04 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112FA08

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6,651,508
米国特許第6,584,853
米国特許第6,030,684

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