半導体ウエハーを処理する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新部興治 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-503075
公開番号（公開出願番号）：特表平9-502301
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】この発明は、半導体ウエハーを処理する方法に、そして特に、排他的ではないが、平面化に関する。その方法は、シリコン含有ガスまたは蒸気から形成される液状短鎖式ポリマーを蒸着させることから成る。その後に水とOHとが除去されて、その層が安定化される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハーの処理方法において、ほぼ平面な層を形成するために通式Six(OH)yまたはSix(OH)zを有する液状短鎖式ポリマーをウエハー上に蒸着させることを特徴とする半導体ウエハーの処理方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

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