特許
J-GLOBAL ID:200903059907650103

中空体内外両表面へのイオン注入法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 原崎 正
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-217831
公開番号(公開出願番号):特開2004-059972
出願日: 2002年07月26日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】中空体の内部表面及び外部表面の改質を同時に行って別々に行う場合に生じる二重手間を回避し、また、密着性に優れた膜を中空体の内部表面及び外部表面に同時に形成する。【解決手段】減圧状態のプラズマ発生用原料ガス雰囲気中に、少なくとも一端が開口された導電性の中空体2を設置し、該中空体2の内部及び外部にアンテナ4を中空体と絶縁状態で放電を生じない間隔をあけてそれぞれ設置し、高周波放電或いはマイクロ波放電によって上記中空体2の内外部にプラズマを発生させると共に、上記中空体2に接地電位に対し負の高電圧パルスを印加し、プラズマ雰囲気中のイオンを中空体2の内部表面及び外部表面に注入させる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
減圧状態のプラズマ発生用原料ガス雰囲気中に、少なくとも一端が開口された導電性の中空体を設置し、該中空体の内部及び外部にグロー放電励起用のアンテナを中空体と絶縁状態で放電を生じない間隔をあけてそれぞれ設置し、高周波放電或いはマイクロ波放電によって上記中空体の内外部にプラズマを発生させると共に、上記中空体に接地電位に対し負の高電圧パルスを印加し、プラズマ雰囲気中のイオンを中空体の内部表面及び外部表面に注入させることを特徴とする中空体内外両表面へのイオン注入法。
IPC (2件):
C23C14/48 ,  C23C8/38
FI (2件):
C23C14/48 Z ,  C23C8/38
Fターム (10件):
4K028BA02 ,  4K028BA03 ,  4K028BA12 ,  4K029AA02 ,  4K029AA27 ,  4K029BA32 ,  4K029BD03 ,  4K029CA10 ,  4K029DE02 ,  4K029DE04

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