特許
J-GLOBAL ID：200903059911676311
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079597
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274397
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 従来と同じのパッケージ面積で情報量を向上させ、効率よく入出力を行い得る高機能の半導体装置を提供する。【解決手段】 所要の配線群が形成されたベース基材上に、複数個の半導体素子を多段に重ね合わせて実装し、複数個の半導体素子の実装部を絶縁性樹脂により被覆し封止して成る構造とする。複数個の半導体素子が、大きさの順に多段に重ね合わされ、かつ複数個の半導体素子のうちで最大面積のものがベース基材表面に接して実装されることが好ましい。
請求項（抜粋）：
所要の配線群が形成されたベース基材上に、複数個の半導体素子が多段に重ね合わされて実装され、前記複数個の半導体素子の実装部が絶縁性樹脂により被覆され封止されて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
