特許
J-GLOBAL ID:200903059913104358
化合物半導体光素子、発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松本 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-177805
公開番号(公開出願番号):特開平7-038148
出願日: 1993年07月19日
公開日(公表日): 1995年02月07日
要約:
【要約】【目的】封止樹脂に適合した屈折率をもつ誘電体薄膜で発光ダイオード表面を覆うことによって、樹脂モールド後の光特性を良好にし、耐湿性に優れ、高輝度、高信頼性を得る。【構成】AlGaAs/GaAs系赤色または赤外発光ダイオードのウィンドウ層4の表面に、屈折率2.2〜2.7の反射防止膜5で覆うようにする。反射防止膜は誘電体薄膜で構成し、その材料は、硫化亜鉛、酸化チタン、硫化ひ素とする。反射防止膜5の上をさらに酸化シリコンやシリコンナイトライドからなる保護膜で覆ってもよい。
請求項(抜粋):
化合物半導体光素子において、表面の少なくとも一部が屈折率2.2〜2.7の反射防止膜で覆われていることを特徴とする化合物半導体光素子。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭50-020683
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特開昭49-019785
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特開昭57-164585
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