特許

J-GLOBAL ID：200903059915182364

高誘電体膜キャパシタ及びその製造方法

発明者： 中村 賢朗 ,  今井 馨太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003521
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195328
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 ペロフスカイト結晶構造を有する薄膜を誘電体膜として用い、その薄膜化による誘電率の低下を抑えることができ、キャパシタ容量の増大を図り得る高誘電体膜キャパシタを提供すること。【構成】 キャパシタ電極と常誘電体ペロフスカイト結晶の薄膜からなるキャパシタ誘電体膜により構成される高誘電体膜キャパシタにおいて、(001)配向したMgO基板501上に、第1のキャパシタ電極としてのPt膜502を(001)配向エピタキシャル成長させ、その上にキャパシタ誘電体膜としてのKTaO3 膜503を成膜し、その上に第2のキャパシタ電極としてのPt膜504を形成して構成されたものであり、さらにこのキャパシタ部にトランジスタ部を貼り合わせてDRAMセルを構成する。

請求項（抜粋）：

キャパシタ電極と常誘電体ペロフスカイト結晶の薄膜からなるキャパシタ誘電体膜により構成される高誘電体膜キャパシタにおいて、前記誘電体膜を構成する結晶構造に関し、該誘電体膜と前記キャパシタ電極との界面がなす面に平行な方向の結晶面の間隔が長くなるように結晶格子が歪んでいることを特徴とする高誘電体膜キャパシタ。

IPC (5件)：

H01G 4/33 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C