特許

J-GLOBAL ID：200903059919271477

インダクタンス素子

発明者： 志賀 信夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-163066
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013235
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 占有面積がより小さく、かつ、使用可能な周波数の高いインダクタンス素子を提供することを目的とする。【構成】 GaAs等の半絶縁性化合物半導体からなる基板10上に、スパッタリング等にて薄膜状の導体配線12を渦巻状に形成している。この導体配線の幅は2〜20μm程度としている。導体配線の内側端部からの引き出し線12aと、渦巻状のコイル部12bとの交差部Aでは、エア・ブリッジその他の手段を用いて両者間を絶縁することにより、スパイラルインダクタを構成している。係るスパイラルインダクタにおいて、導体配線の存在していないコイル部の中央空間部に、多数の小部材14aを互いに絶縁状態で格子状に配置して形成されるコア部14を設けている。このコア部は、ニッケル等の高透磁率材料をスパッタリング等を用いることにより基板上に直接形成する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性化合物半導体基板上に、導体線路を渦巻状に平面配置することにより形成されるインダクタンス素子において、その前記導体線路で形成される渦巻きの中央部位に高透磁率材料からなるコア部を設けるとともに、そのコア部が分割形成され互いに絶縁状態にある複数の小部材から構成されていることを特徴とするインダクタンス素子。