特許

J-GLOBAL ID：200903059919820217

半導体接触電極による電解ドレッシング方法及び装置

発明者： 大森 整 ,  中川 威雄
出願人/特許権者： 理化学研究所
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-127289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-170732
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：

【要約】【目的】 絶縁被膜が薄く、かつ均一に形成され、これにより直流電源の適用が可能な電解ドレッシング方法及び装置を提供する。【構成】 被加工物16との接触面12を有する導電性砥石10と、接触面に対向する電極20との間に導電性液を流し、砥石と電極との間に電圧を印加し、砥石を電解によりドレッシングする電解ドレッシング法において、半導体材料からなる電極20を砥石の接触面に接触させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被加工物との接触面を有する導電性砥石と前記接触面に対向する電極との間に導電性液を流し、前記砥石と電極との間に電圧を印加し、砥石を電解によりドレッシングする電解ドレッシング方法において、半導体材料からなる電極を砥石の前記接触面に接触させることを特徴とする導電性砥石の電解ドレッシング方法。

IPC (4件)：

B24B 53/00 ,  B23H 5/00 ,  B23H 5/06 ,  B23H 5/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-146467
  
• 特開昭61-004665