特許
J-GLOBAL ID:200903059925436747

圧電磁器組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山谷 晧榮 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-133528
公開番号(公開出願番号):特開2000-327418
出願日: 1999年05月14日
公開日(公表日): 2000年11月28日
要約:
【要約】【課題】長辺方向伸び振動モードの圧電歪定数(d31)が200×10-12 m/vを超え、キュリー温度が十分に高く、アクチュエータとしての変位の劣化が少なく、さらに粒界強度が強い素子が得られる圧電磁器組成物を提供すること。【解決手段】Pbx〔(Co1/3 Nb2/3 )a Tib Zr1-a-b〕O3(但し、0.98≦x≦0.999、0.01≦a≦0.03、0.43≦b≦0.49)を主成分とし、主成分1モルの重量に対し、副成分としてW、Sb、Nb、Taのうち少なくとも一種をWO3 、Sb2 O3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 に換算して0.1〜1.2重量%添加し、さらに副成分としてSiをSiO2に換算して0.01〜0.1重量%添加含有していることを特徴とする。
請求項(抜粋):
Pbx〔(Co1/3 Nb2/3 )a Tib Zr1-a-b〕O3(但し、0.98≦x≦0.999、0.01≦a≦0.03、0.43≦b≦0.49)を主成分とし、主成分1モルの重量に対し、副成分としてW、Sb、Nb、Taのうち少なくとも一種をWO3 、Sb2 O3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 に換算して0.1〜1.2重量%添加し、さらに副成分としてSiをSiO2 に換算して0.01〜0.1重量%添加含有していることを特徴とする圧電磁器組成物。
IPC (2件):
C04B 35/49 ,  H01L 41/187
FI (2件):
C04B 35/49 Q ,  H01L 41/18 101 D
Fターム (12件):
4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA18 ,  4G031AA22 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031BA10
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 特公昭49-045117
  • 特公昭49-045115
  • 特公昭49-045114
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